青岛佳恩半导体取得由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构专利，解决了传统复合栅结构电场分布不均的弊端_电池知识

青岛佳恩半导体取得由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构专利，解决了传统复合栅结构电场分布不均的弊端

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2026-03-28 22:50:58

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国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司取得一项名为“一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构”的专利，授权公告号CN224054691U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构，属于复合栅技术领域，该由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构包括：基底，所述基底为氮化镓外延层或异质衬底；复合栅结构，设置于所述基底上，由下至上依次为氮化铝层与P型氮化镓层的堆叠结构；T型场板，包括纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部从复合栅结构两侧的侧壁垂直延伸至基底表面，所述横向延伸部覆盖纵向延伸部顶部并向沟道区水平延伸；钝化层，包覆所述T型场板的外表面以及基底的上表面，但不包括源极和漏极所占据的区域；源极与漏极，分别设置于所述复合栅结构两侧的基底表面，本实用新型解决了传统复合栅结构电场分布不均的弊端。

天眼查资料显示，青岛佳恩半导体有限公司，成立于2015年，位于青岛市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本534.4165万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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