格力电子申请半导体器件及其制备方法专利，解决了半导体器件中的体二极管的关断损耗较大的问题
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2026-03-31 19:17:21
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121772285A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底和外延层；多个源区结构，源区结构包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区包括用于形成复合中心的深能级杂质；JFET区位于外延层中，且位于任意相邻的两个源区结构之间，第二掺杂区位于第三掺杂区背离JFET区的一侧，第三掺杂区与JFET区之间具有部分第一掺杂区；栅极结构位于JFET区和部分源区结构背离基底的一侧；源极电极，位于源区结构背离衬底的一侧表面上；漏极电极，位于衬底背离外延层的一侧，解决了半导体器件中的体二极管的关断损耗较大的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息255条，此外企业还拥有行政许可108个。
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来源：市场资讯
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