上海集成电路装备材料产业创新中心申请西格玛沟槽形貌控制方法专利，有效减少TDDB失效风险_电池知识

上海集成电路装备材料产业创新中心申请西格玛沟槽形貌控制方法专利，有效减少TDDB失效风险

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2026-04-02 19:35:53

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国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种西格玛沟槽形貌控制方法”的专利，公开号CN121772315A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本申请公开了一种西格玛沟槽形貌控制方法，属于半导体技术领域，该方法针对前层离子注入后的不同垫氧化层的厚度进行补偿，使得西格玛沟槽刻蚀前的前层条件保持一致，以通过控制前层氧化层的厚度，控制后程干法刻蚀时硬掩膜层的刻蚀深度，保证了SMD和RCD达标；在后程干法刻蚀过程中，采取APC方式根据硬掩膜层的厚度控制硬掩膜层的干法刻蚀时间，保证了S2G达标；在后程湿法刻蚀过程中，采取APC方式根据干法刻蚀形成的沟槽的深度控制湿法刻蚀时间，以针对干法刻蚀形成的不同沟槽大小进行补偿，保证了T2G达标，最终达到西格玛沟槽尺寸达标的目的，从而保证后续西格玛沟槽中嵌入的SiGe尺寸达标，进而有效减少TDDB失效风险。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目77次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息612条，此外企业还拥有行政许可211个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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