成都新紫光半导体申请半导体制造设备专利，保证聚合物不会造成真空压力规的精度和灵敏度的下降
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2026-04-03 19:29:32
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体制造设备”的专利，公开号CN121772638A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体制造设备，包括设备本体、真空压力规及散热件，设备本体中设置有真空腔，真空压力规用于测量真空腔的压力，且具有测量腔，散热件包括连接在设备本体和真空压力规之间的壳体，壳体内部形成有散热腔，散热腔用于连通真空腔及测量腔，以对真空腔进入测量腔中的聚合物散热。本公开的半导体制造设备通过散热件对进入真空压力规中的聚合物进行散热以利用聚合物在低温环境下的聚集速度快于高温环境的特点，使聚合物在进入散热腔后聚集在散热腔中，进而能够极大程度减少进入真空压力规测量腔中的聚合物，保证聚合物不会造成真空压力规的精度和灵敏度的下降，并提高真空压力规的使用寿命，以及减少维修真空压力规的次数。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息82条。
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来源：市场资讯
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