南通擎航微电子申请片上可变电阻器件结构专利，达成片上电阻器件结构导通电阻的宽范围、高精度动态调整_电池知识

南通擎航微电子申请片上可变电阻器件结构专利，达成片上电阻器件结构导通电阻的宽范围、高精度动态调整

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2026-04-23 00:41:55

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国家知识产权局信息显示，南通擎航微电子科技有限公司申请一项名为“一种片上可变电阻器件结构和电子设备”的专利，公开号CN121865631A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种片上可变电阻器件结构和电子设备，包括衬底，形成于衬底上的氮化物外延层，形成于氮化物外延层上的电极结构层和栅极结构层。电极结构层包括第一电极和第二电极，氮化物外延层包括用于形成异质结界面的沟道层与势垒层，栅极结构层包括层叠形成于势垒层上的第一半导体层和第三电极，以及形成于第一半导体层内的分隔槽。通过调控分隔槽在势垒层上的延伸路径和结构参数，结合第三电极的施加电压，可以实现对异质结界面处二维电子气的浓度、分布及导电通道的动态控制，从而达成片上电阻器件结构导通电阻的宽范围、高精度动态调整，满足高性能集成系统对片上可变电阻的技术要求，具有重要的应用价值。

天眼查资料显示，南通擎航微电子科技有限公司，成立于2025年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本556万人民币。通过天眼查大数据分析，南通擎航微电子科技有限公司。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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