重庆北理芯研科技申请多值RRAM读写电路及其读写方法专利，大大减弱漏电流对RRAM读写的影响
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2026-05-06 11:38:48
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国家知识产权局信息显示，重庆北理芯研科技有限公司申请一项名为“一种多值RRAM读写电路及其读写方法”的专利，公开号CN121983099A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明属于模拟集成电路及储存器技术领域，涉及一种多值RRAM读写电路及其读写方法，多值RRAM读写电路包括RRAM控制单元、低压差线性稳压器、标准电阻单元、漏电流采样单元、读写转换单元、CMOS开关以及运算放大器，低压差线性稳压器用于为RRAM控制单元和标准电阻单元提供稳定栅压，标准电阻单元用于调整RRAM的阻值，漏电流采样单元用于采样并补偿漏电流，读写转换单元接收读写转换信号，基于读写转换信号控制CMOS开关以切换多值RRAM读写电路的读模式或写模式，运算放大器在写模式下接入，用于维持RRAM两端电压稳定。本发明能够进行漏电流采样与补偿，大大减弱漏电流对RRAM读写的影响。
天眼查资料显示，重庆北理芯研科技有限公司，成立于2025年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆北理芯研科技有限公司。
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来源：市场资讯
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