华力集成申请减少LK膜层损耗的嵌入式外延层形成方法专利，能增加器件的工艺窗口
创始人
2026-05-06 13:14:59
0次
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法”的专利，公开号CN121985574A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形成方法，包括：步骤一、提供形成有侧面形成有LK膜层栅极结构的半导体衬底。步骤二、进行原子层沉积工艺形成由第一氮化硅层组成硬质掩膜层。原子层沉积工艺不采用等离子体和氢气并通过增加成膜温度来调节沉积速率，以消除原子层沉积工艺中引入等离子体和氢气时对LK膜层的表面产生损伤。工艺气体采用DCS和氨气且采用循环模式通入，各次循环中，DCS采用脉冲式加直流式通入。步骤三、将嵌入式外延层的形成区域打开并刻蚀形成凹槽。步骤四、进行外延生长。步骤五、去除硬质掩膜层。本发明能消除定义嵌入式外延层的硬质掩膜层的生长和去除过程中对LK膜层产生的损耗，从而能增加器件的工艺窗口。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2754条，此外企业还拥有行政许可400个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
上一篇：大奇鹰取得高隔离电源装置专利，能够适用于对电源要求严苛的领域中
下一篇：没有了
相关内容
热门资讯
华力集成申请减少LK膜层损耗的...
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“减少LK膜层损耗的嵌入式外延层的形...
大奇鹰取得高隔离电源装置专利，...
国家知识产权局信息显示，成都大奇鹰科技有限公司取得一项名为“一种高隔离的电源装置”的专利，授权公告号...
半导体行情火热，南方基金郑晓曦...
5月6日，A股普涨，其中半导体板块行情火热，同花顺数据显示，截至上午11时30分，中证半导体产业指数...
时钟晶振是什么？主要有哪些类型...
时钟晶振是电子产品中至关重要的部件，负责提供精确的时钟信号，以确保系统的稳定运行。根据不同的应用需求...
贪玩游戏等成立智算科技公司 含...
观点网讯：公开资料显示，近日，广州旭动智算科技有限公司成立，经营范围包含集成电路芯片设计及服务、集成...
埃科光电：4月30日融资买入1...
证券之星消息，4月30日，埃科光电（688610）融资买入1945.2万元，融资偿还3024.13万...
汉口银行储蓄国债（电子式）手机...
2026年4月，经财政部和中国人民银行批准，汉口银行在湖北地方法人银行中首家上线储蓄国债(电子式)手...
重庆中晶微电子取得用于二极管生...
国家知识产权局信息显示，重庆中晶微电子科技有限公司取得一项名为“一种用于二极管生产用节能上料设备”的...
将阅读嵌入生活
今年2月1日起实施的《全民阅读促进条例》，从立法层面为全民阅读的开展提供了法治保障。条例明确规定每年...
比瑞科技取得可便携小型储能电源...
国家知识产权局信息显示，比瑞科技（深圳）有限公司取得一项名为“一种可便携的小型储能电源”的专利，授权...