华虹半导体申请MIM电容器及其制备方法专利，提高了整个MIM电容器的平整度
创始人
2026-05-10 02:13:13
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“MIM电容器及其制备方法”的专利，公开号CN122002822A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MIM电容器及其制备方法，其中在制备方法中，在形成下极板材料层之后以及在形成中间介电层之前，采用化学机械研磨工艺研磨去除部分厚度的下极板材料层，以平坦化下极板材料层的表面，从而提高了整个MIM电容器的平整度，从而提高了MIM电容器的击穿电压、减小了器件的漏电流以及提高了器件的TDDB的失效时间（寿命）。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2943次，专利信息1988条，此外企业还拥有行政许可117个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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