华润上华申请屏蔽栅沟槽结构制造方法专利，避免尖角处电荷集中的问题
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2026-05-22 20:34:59
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国家知识产权局信息显示，无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“屏蔽栅沟槽结构的制造方法及屏蔽栅沟槽型MOS器件”的专利，公开号CN122073960A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种屏蔽栅沟槽结构的制造方法及屏蔽栅沟槽型MOS器件，所述方法包括：在沟槽的内表面形成第一绝缘层；在所述沟槽内形成屏蔽栅；在所述屏蔽栅上方的沟槽内壁形成第二绝缘层；在所述屏蔽栅上淀积第一介质层；形成所述第一介质层后，在沟槽内剩余的空间淀积第二介质层；刻蚀所述第二介质层和第一介质层，刻蚀完成后剩余的第二介质层和第一介质层作为目标介质层，刻蚀过程中对第二介质层的刻蚀速率大于对第一介质层的刻蚀速率；在所述目标介质层上形成栅极。本发明能够形成底部为圆弧的栅极形貌，避免尖角处电荷集中的问题，从而具有更大的Vgs。
天眼查资料显示，无锡华润上华科技有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66801.147万美元。通过天眼查大数据分析，无锡华润上华科技有限公司参与招投标项目6232次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息1514条，此外企业还拥有行政许可123个。
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来源：市场资讯
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