华虹半导体申请超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法专利，改善了器件的击穿电压
金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN120302684A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结沟槽栅MOSFET器件，包括N型衬底，在衬底上形成有N型外延层，在N型外延层表面形成有P型体区；在体区顶部形成有沟槽，沟槽从N型外延层的上表面向下延伸穿过体区，在沟槽底部的N型外延层上形成有第一P柱；位于沟槽中的介质层，其中介质层未完全填充沟槽；在剩余沟槽的表面形成的栅介质层，以及填充剩余沟槽的栅极多晶硅层；在P型体区上方形成的源端重掺杂区；在P型体区下方的N型外延层上形成的第二P柱，第一P柱和第二P柱之间具有横向间距；在外延层上形成的层间介质层，在层间介质层上形成有引出源端重掺杂区的接触孔，在接触孔下方的体区上形成的重掺杂区，接触孔中形成有金属电极。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目907次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界