金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置”的专利,公开号CN120302659A,申请日期为2024年01月。
专利摘要显示,本申请公开了半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置,该方法通过提供基底,该基底包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的具有沟道区的鳍结构,进而对依次进行湿处理工艺和干燥工艺,接着将湿处理工艺和干燥工艺后的该基底送入处理室,在该处理室内对该基底依次进行化学氧化物去除工艺以及热处理工艺,并在所述鳍结构的沟道区上形成沟道保护层,从而在不接触外界新环境的情况下实现了在鳍结构的沟道区原位形成沟道保护层,简化了半导体结构的工艺流程,提高了生产效率以及半导体结构的良率和性能。
天眼查资料显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,成立于2000年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目127次,财产线索方面有商标信息150条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可442个。
来源:金融界