华虹半导体申请应用于半导体器件制造中的工艺方法专利，明显改善器件的均匀性和良率
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2025-07-14 12:38:47
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金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“应用于半导体器件制造中的工艺方法”的专利，公开号CN120302708A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种应用于半导体器件制造中的工艺方法，包括：提供一晶片，晶片的正面形成有半导体器件，晶片的背面形成有第一氧化物层，第一氧化物层上形成有多晶硅层，多晶硅层上形成有第一氮化物层；在晶片的正面沉积第二氧化物层，第二氧化物层覆盖半导体器件，第二氧化物层为半导体器件的保护层；在晶片的正面沉积第二氮化物层，第二氮化物层覆盖第二氧化物层，第二氮化物层为半导体器件的应力层；对晶片的背面进行热处理；依次通过干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺对第二氮化物层进行去除，保留晶片的背面的第一氮化物层；对晶片的正面进行热处理。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2932次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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