武汉光迅科技申请新型结构热调谐激光器芯片及其制作方法专利，提高芯片热调谐效率_电池知识

武汉光迅科技申请新型结构热调谐激光器芯片及其制作方法专利，提高芯片热调谐效率

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2025-07-15 17:39:46

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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法”的专利，公开号CN120320148A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器芯片技术领域，提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层，具体的：在脊波导的两侧沟道中分别刻蚀多个隔热凹槽；多个隔热凹槽之间相互间隔，且所述隔热凹槽包括第一隔热部分和第二隔热部分；所述隔热凹槽的内壁生长有支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑部分和第二支撑部分，所述第一支撑部分完整覆盖第一隔热部分，所述第二支撑部分覆盖至第二隔热部分的第三功能层；所述第三功能层与第一功能层之间被挖空形成贯穿多个隔热凹槽的空洞隔热区域。本发明避免了芯片内部的热量散失，提高了芯片的隔温效果，从而提高芯片的热调谐效率。

天眼查资料显示，武汉光迅科技股份有限公司，成立于2001年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本79359.2652万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光迅科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目2185次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息1742条，此外企业还拥有行政许可92个。

来源：金融界

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