武汉锐晶申请具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法专利有助于提升半导体激光芯片出光功率_电池知识

武汉锐晶申请具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法专利有助于提升半导体激光芯片出光功率

创始人

2025-07-16 19:10:14

0次

金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，武汉锐晶激光芯片技术有限公司申请一项名为“一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法”的专利，公开号CN120320159A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法，涉及半导体激光芯片芯片领域，由下至上依次堆叠的衬底层、n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、第一p型限制层、第二p型限制层以及接触层，抗反射腔面与高反射腔面设置于第二p型限制层的相对两侧，功能区设置于抗反射腔面与高反射腔面之间，功能区包括电流注入子区和电流阻挡子区，电流注入子区具有多个注入尖端，电流阻挡子区具有多个阻挡尖端，注入尖端设置于任意两个相邻的阻挡尖端之间；第一p型限制层开设的两条沟槽贯穿第二p型限制层和接触层，两条沟槽位于电流注入子区和电流阻挡子区的相对两侧。

天眼查资料显示，武汉锐晶激光芯片技术有限公司，成立于2015年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉锐晶激光芯片技术有限公司参与招投标项目222次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息157条，此外企业还拥有行政许可9个。

来源：金融界

显示子区电流调制激光锐晶限制半导体芯片专利腔面

上一篇：扬州新瑞电气取得一种C-GIS高导铝结构的三工位开关专利，让三工位开关的使用更加的方便

下一篇：展讯半导体申请通信方法及装置等专利，降低终端设备的寻呼时延

武汉锐晶申请具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法专利有助于提升半导体激光芯片出光功率

相关内容

热门资讯

武汉锐晶申请具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法专利 有助于提升半导体激光芯片出光功率

相关内容

热门资讯

武汉锐晶申请具有电流调制的半导体激光芯片及制备方法专利有助于提升半导体激光芯片出光功率