江苏第三代半导体研究院取得基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法专利
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2025-07-22 13:09:50
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法”的专利，授权公告号CN114843379B，申请日期为2022年05月。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息353条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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