英路硅科技申请三维堆叠芯片及其制作方法专利，避免逻辑模块热量对存储模块的影响
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2025-06-21 13:08:37
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，加拿大英路硅科技有限公司申请一项名为“一种三维堆叠芯片及其制作方法”的专利，公开号CN120187041A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种三维堆叠芯片及其制作方法。三维堆叠芯片包括衬底、第一存储模块和逻辑模块；第一存储模块和逻辑模块依次堆叠在衬底上，第一存储模块设置在逻辑模块和衬底之间；第一存储模块用于提供和存储逻辑模块所需的数据，支持逻辑模块完成相应的工作；逻辑模块借道第一存储模块和衬底与外界进行信号交互。
来源：金融界
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