吉林华微电子申请肖特基二极管及掩膜版专利，有效提高肖特基二极管的耐压性和浪涌能力
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2025-06-21 15:38:09
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及掩膜版”的专利，公开号CN120187048A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种肖特基二极管及掩膜版。肖特基二极管包括半导体层、沟槽单元、势垒层及金属层。半导体层包括相对的第一侧和第二侧，沟槽单元形成于半导体层的第一侧，多个沟槽单元阵列排布在第一侧，沟槽单元包括多个第一形状沟槽和多个第二形状沟槽，其中，沟槽单元所在的区域包括多个相邻子区域，每个子区域内均设置有第一形状沟槽以及位于所述第一形状沟槽之间的第二形状沟槽。势垒层位于半导体层的第一侧，金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层位于势垒层远离半导体层的一侧，第二金属层位于半导体层的第二侧。如此，通过上述结构，能够有效提高肖特基二极管的耐压性和浪涌能力。
天眼查资料显示，吉林华微电子股份有限公司，成立于1999年，位于吉林市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本96029.5304万人民币。通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目45次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息261条，此外企业还拥有行政许可18个。
来源：金融界
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