晋华集成申请半导体器件及其制作方法专利，电容结构可具有更为可靠稳固的结构
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2025-07-25 16:09:59
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN120379251A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、多个存储节点焊盘、电容结构、以及支撑结构。存储节点焊盘设置在衬底上。电容结构设置在存储节点焊盘上，包括多个底电极分别接触各存储节点焊盘。支撑结构设置在存储节点焊盘上，位在底电极之间并物理性接触部分的各底电极。电容结构还包括依序设置在底电极上的填充层、电容电介质层和顶电极层。各底电极包括在垂直方向上设置的两延伸部，各延伸部的两相对侧壁分别物理性接触填充层和电容电介质层。如此，电容结构可具有更为可靠稳固的结构，避免发生倒塌或产生缺陷。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目559次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息932条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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