中电化合物半导体申请碳化硅晶体的生长装置及其应用专利，获得高质量的大直径碳化硅晶体_厂商动态

中电化合物半导体申请碳化硅晶体的生长装置及其应用专利，获得高质量的大直径碳化硅晶体

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2025-07-28 14:09:55

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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，中电化合物半导体有限公司申请一项名为“一种碳化硅晶体的生长装置及其应用”的专利，公开号CN120366887A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化硅晶体的生长装置及其应用，所述生长装置至少包括：坩埚，包括侧部和底部，所述侧部环绕设置在所述底部的一侧；盖体，设置在所述侧部远离所述底部的一侧上；第一加热器，环绕设置在所述坩埚外，且靠近所述盖体一侧设置；第二加热器，环绕设置在所述坩埚外，且靠近所述底部一侧设置，且所述第二加热器与所述第一加热器之间保持预设距离；第三加热器，间隔设置在所述盖体远离所述坩埚的一侧上；碳化硅粉料，装填在所述底部靠近所述侧部的一侧上；以及碳化硅籽晶，悬挂在所述盖体靠近所述坩埚的一侧上。通过本发明提供的碳化硅晶体的生长装置及其应用，能够获得高质量的大直径碳化硅晶体。

天眼查资料显示，中电化合物半导体有限公司，成立于2019年，位于宁波市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。通过天眼查大数据分析，中电化合物半导体有限公司参与招投标项目443次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界

晶体盖体半导体装置坩埚碳化硅专利加热器应用底部侧部

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