上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利保护晶圆正面不受碳粉影响_厂商动态

上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利保护晶圆正面不受碳粉影响

创始人

2025-07-28 18:12:04

0次

金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体芯片的制造方法”的专利，公开号CN120376414A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体芯片的制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括含碳衬底；所述含碳衬底的正面形成有多个半导体器件。于所述含碳衬底的正面形成阻挡薄膜；所述阻挡薄膜至少覆盖各所述半导体器件以及所述含碳衬底的正面。于所述含碳衬底背离所述半导体器件的背面进行背面金属化工艺；所述背面金属化工艺至少包括退火工艺。去除所述阻挡薄膜。本申请能够针对退火工艺中晶圆背面的碳粉析出现象，保护晶圆正面不受碳粉影响，避免晶圆正面杂质污染问题。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1839次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1207条，此外企业还拥有行政许可193个。

来源：金融界

企业制造方法显示上海信息天眼导体保护专利含碳半导体碳粉衬底晶圆

上一篇：黑龙江省纪委原常委李纯被查！曾任省委巡视组正厅级专员，反腐“利剑”终成“内鬼”

下一篇：芯恩（青岛）集成电路取得气体混合装置及半导体设备专利，增加气体的混合效果

上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利保护晶圆正面不受碳粉影响

相关内容

热门资讯

上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利 保护晶圆正面不受碳粉影响

相关内容

热门资讯

上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利保护晶圆正面不受碳粉影响