上海积塔半导体申请半导体芯片制造方法专利 保护晶圆正面不受碳粉影响
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2025-07-28 18:12:04
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体芯片的制造方法”的专利，公开号CN120376414A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体芯片的制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括含碳衬底；所述含碳衬底的正面形成有多个半导体器件。于所述含碳衬底的正面形成阻挡薄膜；所述阻挡薄膜至少覆盖各所述半导体器件以及所述含碳衬底的正面。于所述含碳衬底背离所述半导体器件的背面进行背面金属化工艺；所述背面金属化工艺至少包括退火工艺。去除所述阻挡薄膜。本申请能够针对退火工艺中晶圆背面的碳粉析出现象，保护晶圆正面不受碳粉影响，避免晶圆正面杂质污染问题。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1839次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1207条，此外企业还拥有行政许可193个。
来源：金融界
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