广能达半导体申请射频匹配器功率采集系统及采集方法专利，能更精确地反映射频匹配器的工作状态
创始人
2025-06-22 00:37:16
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种射频匹配器功率采集系统及采集方法”的专利，公开号CN120180142A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种射频匹配器功率采集系统及采集方法，包括数据采集模块、数据处理模块、数据通讯模块和上位机，数据采集模块第一数据采集单元和第二数据采集单元，第一数据采集单元用于采集射频输入信号的参数，第二数据采集单元用于采集射频输出信号的参数；数据处理模块用于处理数据采集模块采集的数据；数据通讯模块用于数据处理模块和上位机进行数据交互；上位机用于监测并控制系统运行。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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