Arm申请存储器阵列中的浪涌电流管理专利，减少在使存储器实例通电或从非活动状态恢复时的浪涌电流
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2025-08-01 10:39:55
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，Arm有限公司申请一项名为“存储器阵列中的浪涌电流管理”的专利，公开号CN120412667A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，存储器诸如SRAM高速缓存中的浪涌电流可以通过使用一个或多个集成延迟元件诸如反相器、RC延迟线等来管理，以显著减慢存储器阵列中的存储器实例之间的掉电信号传播。在一些示例中，延迟可以在存储器实例之间，而在其他示例中，延迟也被引入存储器实例内的位单元阵列之间。通过使互连的或链式链接的存储器实例的上电时间交错，可以减少在使存储器实例通电或从非活动状态恢复时的浪涌电流。

来源：金融界

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