华灿光电申请微型发光二极管芯片及其制备方法专利，提高微型发光二极管芯片的可靠性
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2025-08-01 15:39:45
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“微型发光二极管芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120417594A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该微型发光二极管芯片包括外延层、第一钝化层和平坦层；外延层的一面具有沟道凹槽；第一钝化层位于外延层的一面，且覆盖沟道凹槽；平坦层位于第一钝化层背向外延层的一面，平坦层包括依次叠设的第一平坦化胶层、第二平坦化胶层和第三平坦化胶层，第一平坦化胶层、第二平坦化胶层和第三平坦化胶层的厚度比为4.5:3.5:2。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目25次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可57个。
来源：金融界
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