长鑫存储取得半导体结构及其形成方法相关专利
创始人
2025-08-01 20:14:52
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金融界2025年8月1日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司、北京超弦存储器研究院取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,授权公告号CN115732325B,申请日期为2021年08月。

天眼查资料显示,长鑫存储技术有限公司,成立于2017年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫存储技术有限公司参与招投标项目385次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可55个。

北京超弦存储器研究院,成立于2020年,位于北京市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本400万人民币。通过天眼查大数据分析,北京超弦存储器研究院参与招投标项目184次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息783条,此外企业还拥有行政许可7个。

来源:金融界

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