无锡中微爱芯电子申请高电源抑制比单端转差分放大器专利，提高对电源纹波或干扰的抑制能力
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2025-08-02 18:40:50
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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，无锡中微爱芯电子有限公司申请一项名为“一种高电源抑制比的单端转差分放大器”的专利，公开号CN120415339A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明属于模拟集成电路技术领域，特别涉及一种高电源抑制比的单端转差分放大器。包括第一级反相放大器、第二级反相放大器和带隙基准BG；电流镜电路，所述电流镜电路的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，缓冲器BUF1，所述缓冲器BUF1的输入端接入所述带隙基准BG的输出端，所述缓冲器BUF1的输出端接入PMOS管PM1的源极；延时单元delay，所述延时单元delay的输入端与所述带隙基准BG的输入端相连并接入使能信号EN，所述延时单元delay的输出端接入PMOS管PM1的栅极。本发明提高了对电源纹波或干扰的抑制能力，使单端转差分放大器电路具有较高的电源抑制比。
天眼查资料显示，无锡中微爱芯电子有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中微爱芯电子有限公司参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息103条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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