江苏芯德半导体申请高导热FCBGA封装结构及其制备方法专利具有较好的散热性能_厂商动态

江苏芯德半导体申请高导热FCBGA封装结构及其制备方法专利具有较好的散热性能

创始人

2025-08-03 00:11:52

0次

金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“高导热FCBGA封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN120413437A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供了一种高导热FCBGA封装结构及其制备方法，封装结构包括封装基板、FC芯片和硅片，FC芯片倒装在封装基板表面，FC芯片背面朝上，FC芯片背面设置多个金属柱，硅片一侧表面设置多个凹槽，凹槽内设有金属层；硅片具有凹槽的表面朝向FC芯片背面放置，金属柱分别嵌合于对应的凹槽内，使用热压接合工艺，将高导热率的金属柱与金属层接合连接。本发明创新了散热方式与结构，将FC芯片背面的铜柱和硅片凹槽内的铜层通过热压接合工艺接合为一体，FCBGA封装结构工作时产生的热量自FC芯片背面通过多个接合的金属柱与金属层快速的传导至硅片，再经由硅片散热，具有较好的散热性能，且结构较为简单。

天眼查资料显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本89633.4459万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息251条，此外企业还拥有行政许可40个。

来源：金融界

企业方法散热芯片金属柱导体较好的硅片结构专利凹槽

上一篇：南方电网毕节市郊供电局：带电“手术”换开关电网迎峰护清凉

下一篇：就此上位？王大雷再次染红于金永临危受命，40分钟4次扑救难救主

江苏芯德半导体申请高导热FCBGA封装结构及其制备方法专利具有较好的散热性能

相关内容

热门资讯

江苏芯德半导体申请高导热FCBGA封装结构及其制备方法专利 具有较好的散热性能

相关内容

热门资讯

江苏芯德半导体申请高导热FCBGA封装结构及其制备方法专利具有较好的散热性能