中芯国际申请光电传感器的形成方法专利，有利于使得光电传感器的形成工艺兼容性较好_厂商动态

中芯国际申请光电传感器的形成方法专利，有利于使得光电传感器的形成工艺兼容性较好

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2025-08-04 16:12:15

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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“光电传感器的形成方法”的专利，公开号CN120417515A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种光电传感器的形成方法，包括：提供基底，包括相背的第一面和第二面，第二面为受光面，且基底包括感光像素区，感光像素区包括多个呈矩阵分布的像素单元区；沿第一面图形化基底，在相邻像素单元区之间的部分厚度的基底中形成沟槽；沿第二面去除部分厚度的基底，露出沟槽；从第二面填充沟槽，形成隔光结构。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

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