海存微电子申请磁存储结构及磁存储器专利，微缩磁存储单元的尺寸
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2025-08-04 20:12:46
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，青岛海存微电子有限公司申请一项名为“磁存储结构及磁存储器”的专利，公开号CN120412678A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开一种磁存储结构及磁存储器，磁存储结构至少包括第一磁存储单元，第一磁存储单元至少包括：至少两个读晶体管、至少两个磁存储器件、至少一个写晶体管；每个读晶体管设置在与之对应的磁存储器件的读取通道上，写晶体管设置在与至少两个磁存储器件共用的写入通道上，且任一读晶体管、写晶体管与至少一个磁存储器件在第一方向上的正投影呈部分或全部重合；读晶体管和/或写晶体管设置为薄膜晶体管，且薄膜晶体管的沟道与至少一个磁存储器件在第一方向上的正投影呈部分或全部重合；磁存储器件为自旋轨道矩磁存储器件。

天眼查资料显示，青岛海存微电子有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本39000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛海存微电子有限公司参与招投标项目23次，专利信息92条，此外企业还拥有行政许可4个。

来源：金融界

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