达尔科技申请功率半导体封装及其制造方法专利，涉及功率半导体封装及其制造方法
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2025-08-05 22:12:15
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“功率半导体封装及其制造方法”的专利，公开号CN120435015A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请涉及功率半导体封装及其制造方法。功率半导体封装包括：基底，其定义有单元区以及围绕所述单元区的外围区，且包括衬底和位于所述衬底上方的外延层；结接层，其设置于所述外围区内且位于所述外延层上方；势垒层，其设置于所述单元区内且位于所述外延层上方；第一电极，其设置在所述结接层上；以及第二电极，其设置在所述势垒层上，其中，所述外延层包括掺杂沟道，所述掺杂沟道设置于所述外围区内，且在所述结接层和所述衬底之间延伸，电流可从所述衬底通过所述掺杂沟道及所述结接层流至所述第一电极。

来源：金融界

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