格科半导体申请一种图像传感器的制备方法以及图像传感器专利,避免硅基副产物后续对衬底表面造成不利影响
创始人
2025-08-06 20:39:45
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金融界2025年8月6日消息,国家知识产权局信息显示,格科半导体(上海)有限公司申请一项名为“一种图像传感器的制备方法以及图像传感器”的专利,公开号CN120435077A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本发明公开了一种图像传感器的制备方法以及图像传感器。包括:步骤S1,提供一晶圆,晶圆包括衬底,以及自下而上依次形成在衬底上方的垫氧化层、第一掩膜层和第二掩膜层,第一掩膜层为含碳基材料层,第二掩膜层为含硅基材料层;步骤S2,通入刻蚀气体和清洁气体,依次刻蚀第二掩膜层、以及第一掩膜层至预设深度,形成第一开口;清洁气体包括含氟气体,用于清除在刻蚀形成第一开口的过程中产生的硅基副产物;步骤S3,去除剩余的第二掩膜层;步骤S4,刻蚀第一开口底部的第一掩膜层,直至暴露垫氧化层,在第一掩膜层内形成第二开口。

天眼查资料显示,格科半导体(上海)有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析,格科半导体(上海)有限公司参与招投标项目21次,专利信息111条,此外企业还拥有行政许可89个。

来源:金融界

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