格科半导体申请一种图像传感器的制备方法以及图像传感器专利，避免硅基副产物后续对衬底表面造成不利影响_厂商动态

格科半导体申请一种图像传感器的制备方法以及图像传感器专利，避免硅基副产物后续对衬底表面造成不利影响

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2025-08-06 20:39:45

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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器的制备方法以及图像传感器”的专利，公开号CN120435077A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器的制备方法以及图像传感器。包括：步骤S1，提供一晶圆，晶圆包括衬底，以及自下而上依次形成在衬底上方的垫氧化层、第一掩膜层和第二掩膜层，第一掩膜层为含碳基材料层，第二掩膜层为含硅基材料层；步骤S2，通入刻蚀气体和清洁气体，依次刻蚀第二掩膜层、以及第一掩膜层至预设深度，形成第一开口；清洁气体包括含氟气体，用于清除在刻蚀形成第一开口的过程中产生的硅基副产物；步骤S3，去除剩余的第二掩膜层；步骤S4，刻蚀第一开口底部的第一掩膜层，直至暴露垫氧化层，在第一掩膜层内形成第二开口。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可89个。

来源：金融界

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