希烽光电等申请高速锗硅光电二极管制造方法及二极管专利，可匹配倒置封装并获得高响应度和高频特性_厂商动态

希烽光电等申请高速锗硅光电二极管制造方法及二极管专利，可匹配倒置封装并获得高响应度和高频特性

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2025-08-16 14:42:40

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金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，希烽光电科技（南京）有限公司;NANO科技（北京）有限公司申请一项名为“高速锗硅光电二极管的制造方法及其高速锗硅光电二极管”的专利，公开号CN120500146A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种高速锗硅光电二极管的制造方法，属于光电探测的技术领域。该制造方法包括：在晶圆的第一平面形成硅透镜同时在相对的第二平面形成与硅透镜中心对齐的锗吸收层其与第二平面相对的一面为光敏面；在第二平面上形成第一电极并在光敏面上形成完全遮盖光敏面的第二电极；在第二平面上形成覆盖包裹锗吸收层、第一电极和第二电极的钝化层；在晶圆内靠近锗吸收层并围绕其边缘外侧嵌入金属反射层；入射光经硅透镜汇聚至晶圆后进入锗吸收层被吸收，入射至其边缘的光被金属反射层反射回其内部，未被吸收的入射光依次穿过锗吸收层和钝化层到达第二电极后被反射回锗吸收层再次吸收。

天眼查资料显示，希烽光电科技（南京）有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1441.4848万美元。通过天眼查大数据分析，希烽光电科技（南京）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息79条，此外企业还拥有行政许可7个。

NANO科技（北京）有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本14578.66335万人民币。通过天眼查大数据分析，NANO科技（北京）有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

企业制造显示科技电极平面信息匹配专利二极管光电硅透镜吸收层

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