昆山清元电子申请高压多层薄膜电容器及其制备方法专利，提高薄膜电容器的电容体积效率
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2025-08-16 15:16:46
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金融界2025年8月14日消息，国家知识产权局信息显示，昆山清元电子科技有限公司申请一项名为“高压多层薄膜电容器及其制备方法”的专利，公开号CN120473335A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，一种高压多层薄膜电容器及其制备方法，属于多层薄膜电容器技术领域。该高压多层薄膜电容器包括：导电基板、中间体和外电极层；中间体设置在导电基板上，包括L层薄膜介电层和L‑1层内电极层，L层薄膜介电层与L‑1层内电极层交替叠加设置；中间体的顶层和底层均为薄膜介电层；外电极层与各内电极层、导电基板电连接；所述的薄膜介电层由铁电‑反铁电复合固溶体制成。
天眼查资料显示，昆山清元电子科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山清元电子科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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