华虹半导体申请半导体结构及其形成方法专利，实现对阻挡层位置的精准定位
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2025-08-16 17:40:31
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120497247A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底；第一层间介质层，所述第一层间介质层位于所述衬底上；金属结构，所述金属结构位于所述第一层间介质层内；凹陷部，所述凹陷部位于所述金属结构顶部表面；阻挡层，所述阻挡层位于所述凹陷部内，且所述阻挡层覆盖所述金属结构顶部。所述凹陷部形成于所述金属结构的顶部表面，在所述凹陷部内形成阻挡层，使得所述阻挡层能够覆盖在所述金属结构顶部，实现对所述阻挡层的位置的精准定位。此外，在阻挡层的隔离作用下，能够将所述金属结构与外界环境隔离，避免后续工艺中对所述金属结构的反应，保证金属结构完整性，使得金属结构能够精确地连接至后续的通孔结构。
天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可227个。
来源：金融界
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