淄博汉林半导体取得漏极共用的双SGT MOSFET器件专利，大大降低了导通电阻
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2025-08-16 19:14:11
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，淄博汉林半导体有限公司取得一项名为“一种漏极共用的双SGT MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223231511U，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种漏极共用的双SGT MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延层，外延层的顶部表面并排开设有若干沟槽，沟槽的底部侧壁及内底部均设置有屏蔽栅氧化层，沟槽底部侧壁上的屏蔽栅氧化层内填充第一多晶硅；第一多晶硅的顶端沉积有沟槽中部屏蔽氧化层，沟槽中部屏蔽氧化层的顶端且位于沟槽的侧壁上设置有栅极氧化层，位于栅极氧化层内填充有第二多晶硅；相邻两个沟槽之间且自上而下形成源区及基区，源区及基区内形成连通的第一顶层接触孔，第一顶层接触孔内通过填充导电材料形成MOS结构，MOS结构的表面形成连接层；沟槽内中部竖直设置有沟槽中部绝缘柱。
天眼查资料显示，淄博汉林半导体有限公司，成立于2015年，位于淄博市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，淄博汉林半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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