伊诺菲申请可变电阻式存储器及其制备方法等专利 提高数据读写速度
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2025-08-16 19:40:39
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司申请一项名为“可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120500268A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件制备领域，提供一种可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备，制备方法包括：在基底上沉积底电极层，基底为互补金属氧化物半导体结构；应用铝靶材和钪靶材在底电极层上进行反应离子共溅射，沉积得到存储功能层。在存储功能层上沉积顶电极层；进行热退火后得到可变电阻式存储器。本发明提供一种可变电阻式存储器及其制备方法、电子设备，用以解决相关技术中的RRAM数据读写速度慢，不能适应使用者的需求的缺陷，本申请的方案中通过铝靶材和钪靶材进行共溅射制备存储功能层，可以提高制备得到的可变电阻式存储器的数据读写速度。
天眼查资料显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，伊诺菲（苏州）科技有限公司专利信息6条。
来源：金融界
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