京东方华灿光电申请改善欧姆接触的发光二极管及其制备方法专利，改善提升p型欧姆接触层表层的空穴浓度
创始人
2025-06-24 12:37:58
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“改善欧姆接触的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120201827A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善欧姆接触的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括依次层叠的n型层、多量子阱层和p型欧姆接触层，所述p型欧姆接触层包括依次层叠的第一p型AlGaN层和InGaN层。本公开能改善提升p型欧姆接触层表层的空穴浓度，降低p型欧姆接触层的接触电阻。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息969条，此外企业还拥有行政许可37个。
来源：金融界
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