取消芯片技术豁免,美方犯了三个错
创始人
2025-06-24 17:10:30
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陈 经

日前有消息称,美国商务部出口管制部门已通知台积电三星电子SK海力士等全球主要半导体制造商,计划撤销这些公司在中国大陆使用美国技术的全面豁免权,包括将美国芯片制造设备运往其在中国大陆的工厂而无需每次单独申请许可证。虽然这并不意味着禁止芯片制造商在华运营,但会在设备更新等方面带来不小的麻烦,增加企业运营负担。白宫官员还将这一举措对标中国的稀土材料管制,否认外界关于这是“新的贸易争端升级”的质疑。

在这一问题上,美方不仅无视在华企业利益,还企图将芯片设备许可与中国对稀土的管制联系起来,可谓错上加错。

首先,在性质上,芯片制造设备就与稀土截然不同。稀土作为典型的军民两用战略资源,中国始终秉持开放合作原则,在民用领域构建公平透明的供应体系。无论是美国企业还是全球其他市场主体,只要符合相关法规、提交申请,均可获得稳定的稀土供应。但对于高精尖武器制造等军事领域应用,中方基于维护国际安全秩序的责任,有必要实施差异化管理。而芯片制造设备则是典型的工业基础设备,许可证发放对象也主要为民用高科技产业。将芯片制造设备的民用领域管控,与中国对稀土的军民两用差异化管理进行错误类比,美方这一行为混淆了概念本质。

其次,美方收紧芯片设备许可机制,针对的是中国高新技术产业,但受伤的却是全球主要半导体制造商的在华业务。中国既是全球最大的半导体设备市场,也是重要的半导体产品来源地。2024年,中国大陆在全球半导体设备市场的份额达38%,应用材料、泛林集团等美企约30%至40%的营收依赖中国市场。即便是受到管制的荷兰阿斯麦公司,2022年对华出货量也占到了其全球销量的14%。稳步增长的市场和完整的产业链结构,使得各大半导体制造厂商在过去几年纷纷扩大在华半导体生产规模,也获得了良好的收益。三星在西安的NAND 闪存工厂,占三星NAND总产量的30%至40%,是全球单个产能最高的NAND闪存工厂;2024年SK海力士对中国半导体工厂设备的投资较前一年增长了10倍,其无锡DRAM工厂销售额约为90亿美元,大增64.3%。

如今,美方在芯片制造设备上“设卡”,其目的无非是限制中国半导体产业发展,顺便刺激外企在华芯片产能转移出中国。但美方低估了中国大陆对于这些企业营收与供应链的重要性,也低估了产能转移所需要付出的巨大代价。

最后,不同于稀土,美国芯片制造设备并非不可替代。2022年8月,时任总统拜登签署了《芯片与科学法案》,建立了系统的管制框架,企图将中国排除在全球半导体产业链之外,扼杀中国先进芯片制造能力。但实际上,美国在芯片制造业并无绝对控制力,美国芯片设备公司只占全球约1/3份额,需要荷兰、日本等国政府与公司配合才能将限制勉强推进下去,同时也要顾及各国与业界的利益。

从长期看,美国对芯片制造设备的禁令本质上正成为全球产业链“去美化”的催化剂。阿斯麦、日本东京电子等企业乐见其成,前者凭借DUV光刻机在华市场份额提升至35%,后者的清洗设备订单量同比增长22%,正加速填补美企退出后的市场空白。与此同时,中国本土设备企业的替代进程已呈现规模化突破,中微公司5纳米刻蚀机通过台积电验证,北方华创14纳米薄膜沉积设备在中芯国际产线实现量产,2024年国产设备市场占有率已从2020年的16% 跃升至28%。中国芯片设备领域的“去美化” 进程本就依托自主创新蓬勃推进,美国的制裁非但未能遏制,反而以“技术封锁倒逼自主突破”的逻辑加速了这一进程。

就如《芯片战争》作者克里斯·米勒指出的,要想彻底“封杀”中国半导体,不仅要阻止中国发展先进芯片的能力,还要逆转中国已经具备的能力。这对现在的美国而言恐怕有些“超纲”了。美国前商务部副部长埃斯特维兹就曾寄希望于中国的先进芯片制造设备自己“坏掉”,这样只要美国公司不提供零部件和服务,就能对中国造成打击。

但随着中国芯片自主创新成果不断,这些目标已成空谈,北方华创等中国企业甚至成功跻身全球设备商前列,美国对华芯片制裁终将失败的判断已成为业界共识。尽管部分企业迫于压力在合规层面采取保守姿态,但全球半导体产业链用行动作出真实选择,例如英伟达等企业在多次遭遇出口限制后,仍持续推出中国特供版GPU;应用材料、泛林集团虽表面配合管制政策,却通过技术调整、本地研发等方式维持在华业务规模。这种“消极合规表象下的积极布局”,本质是全球产业对中国市场不可替代性的客观回应,也印证了单边制裁在全球化产业链面前的天然局限性。当中国设备企业以每年超30%的技术迭代速度突破封锁,当本土晶圆厂28纳米成熟制程产能占全球比重升至25%,美国试图通过行政手段割裂产业链的企图,正被市场规律与技术进步的双重力量逐步消解。(作者是科技与战略风云学会研究员)

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