金融界2025年6月25日消息,国家知识产权局信息显示,电子科技大学;无锡华润上华科技有限公司申请一项名为“超结器件及其制造方法”的专利,公开号CN120201759A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明涉及一种超结器件及其制造方法,所述超结器件包括:衬底;超结结构,位于衬底上,包括沿第一方向交替排列的N型区和P型区;漏极区;源极区,源极区和漏极区位于超结器件在N型区和P型区延伸方向上的两侧,超结结构位于源极区和漏极区之间;栅极,位于漏极区和源极区之间的区域上方;场板结构,位于栅极与漏极区之间,且靠近漏极区设置,场板结构包括绝缘层和导电部,绝缘层设于凹陷结构的内表面,导电部位于凹陷结构内且四周及底面被绝缘层包围。本发明在横向超结的基础上引入了漏端纵向场板,以此抵消漏端显著的衬底辅助耗尽效应来保证超结电荷平衡,能够获得较高的击穿电压。
来源:金融界