智新半导体1700V SiC MOSFET模块正式下线
创始人
2025-06-25 14:09:00
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6月23日，智新半导体六周年暨第100万只模块下线仪式举行。
图片来源：智新科技
活动现场，智新科技副总经理曹永军介绍，六年来，智新半导体体系能力持续增强，产品平台不断丰富，今年销量同比大幅增长，两条产线产能利用率逐步饱满，开发的多款领先功率模块产品填补了东风空白，应用于多款新投放整车，既达成了新能源自主事业自主可控的战略目标，也成为东风新能源转型升级的靓丽名片。
资料显示，智新半导体作为东风汽车与中车时代半导体合资的功率半导体企业，自2019年成立以来，始终聚焦新能源汽车核心器件国产化。2021年，其首条IGBT产线量产，填补了华中地区车规级功率模块的空白。近年来，随着高压平台需求爆发，智新于2022年成功研制首款碳化硅（SiC）模块。
今年6月15日，智新半导体首批1700V SiC MOSFET模块正式下线，标志着该项目取得重大阶段性成果，为后续批量装车应用奠定了坚实基础。
图片来源：智新科技
该模块产品开关损耗锐减60%，通过第二代SiC芯片技术优化栅极驱动设计（支持+15~+18V驱动电压）和低寄生电感封装（≤10nH），显著降低Eon/Eoff损耗。对比传统IGBT，系统效率从96%跃升至99%，仅效率提升即可为整车续航延长3%以上。
智新半导体表示，随着新能源汽车产业向1000V以上高压架构快速演进，电驱系统对#功率器件 的性能、效率与可靠性提出了更高要求。1700V电压等级尤其契合1200V平台主驱逆变器的需求，成为突破传统硅基（IGBT）性能瓶颈、实现电驱系统高效化、轻量化、长续航的核心器件。
（文/集邦化合物半导体整理）
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