截至13:42,上证科创板半导体材料设备主题指数下跌1.10%。成分股涨跌互现,华海诚科领涨1.63%,中芯国际上涨1.23%,拓荆科技上涨1.01%;沪硅产业领跌4.77%,有研硅下跌4.72%,金宏气体下跌4.24%。科创半导体ETF(588170)下跌0.95%。
消息面上,11月23日~25日,以“凝芯聚力·链动未来”为主题,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办,北京赛迪出版传媒有限公司承办的第二十二届中国国际半导体博览会(ICChina2025)即将举行。
AI服务器功耗高,数据中心需要使用更高功率的供电架构。为了应对更高端的AI运算,服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。SiC/GaN等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点,允许材料在更高的温度和电压下运行,降低能耗和成本。目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。东方证券指出,展望未来,在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下,SiC/GaN有望得到更广泛的应用。
相关ETF:公开信息显示, 科创半导体ETF(588170)及其联接基金(A类:024417;C类:024418)跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数,囊括科创板中 半导体设备(61%)和半导体材料(23%)细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域,具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性,受益于人工智能革命下的半导体需求,扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。
半导体材料ETF(562590)及其联接基金(A类:020356、C类:020357),指数中半导体设备(61%)、半导体材料(21%)占比靠前,充分聚焦半导体上游。
每日经济新闻