美光科技申请三维存储器中的多面存储节点专利，提供用于三维存储器中的多面存储节点的方法及设备
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2025-11-27 11:15:54
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“三维(3D)存储器中的多面存储节点”的专利，公开号CN 121013335 A，申请日期为2025年5月。专利摘要显示，本公开涉及三维(3D)存储器中的多面存储节点。提供用于三维存储器中的多面存储节点的方法及设备。竖直堆叠存储器单元阵列可包含水平定向存取装置，其具有水平形成于彼此不同的层阶处的栅极、沟道区及由所述沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述存储节点包含：第一电极，其在从电接口到所述竖直堆叠存储器单元中的给定者的所述第二源极/漏极区的水平方向上延伸且与所述电接口电接触，所述第一电极具有内及外表面；介电材料；及第二电极，其通过所述介电材料来与所述第一电极的所述内及外表面分离。

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来源：市场资讯

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