长江存储申请半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备专利，解决电容器尺寸缩小所造成的电容值降低的问题
创始人
2025-11-27 11:17:58
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”的专利，公开号CN 121013643 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容器尺寸缩小所造成的电容值降低的问题。所述半导体结构包括电容器。电容器包括第一电极、第二电极和电介质层。电介质层位于第一电极和第二电极之间；电介质层包括第一部分和第二部分，第一部分相比第二部分更靠近第一电极。其中，电介质层的材料包含第一元素；第一部分中第一元素的浓度，与第二部分中第一元素的浓度不同。上述半导体结构应用于三维存储器中。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1432次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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来源：市场资讯
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