自石墨烯在实验室中被成功分离以来，其基础研究与工业应用迅速发展。亟需建立其关键控制特性的标准测量方法。国际电工委员会发布的IEC TS 62607-6-8:2023技术规范，确立了使用四点探针法评估单层石墨烯薄层电阻（RsRs）的标准化流程。

Xfilm埃利四探针方阻仪作为符合该标准要求的专业测量设备，可为石墨烯薄层电阻的精确测量提供可靠的解决方案。本文介绍了支撑该标准制定的科学实验背景，重点探讨了化学气相沉积石墨烯的机械接触问题及其实验验证，旨在为石墨烯电性能的标准化测量提供技术依据。

一、石墨烯的关键控制特性

四探针技术

关键控制特性（KCC）是影响材料或中间产品安全性、性能、质量及可靠性的核心参数。对于CVD制备的单层石墨烯而言，薄层电阻 RsRs是一项重要的关键控制特性。IEC TS 62607-6-8:2023 提供了使用四点探针法 测量 RsRs的标准化流程，适用于毫米至厘米级大面积石墨烯样品。

二、IEC标准制定流程

IEC标准的制定遵循严格的流程，包括初步工作项目、新工作提案、工作组草案、委员会草案、草案技术规范等阶段，最终经批准后发布为技术规范或国际标准。IEC TS 62607-6-8的制定也经历了上述多轮技术讨论与实验验证。

三、石墨烯薄层电阻测量的四点探针法标准

对石墨烯样品进行的四端电阻测量

四点探针法是一种经典的电学测量方法，适用于具有有限几何尺寸的二维材料。新标准IEC TS 62607-6-8详细规定了以下内容：

样品的存储与制备；

仪器设备的规格要求；

测量环境条件；

标准化的测量步骤；

结果的解释与报告方式。

该标准特别考虑了实际CVD石墨烯样品可能存在的不均匀性，提出了可靠的薄层电阻 RsRs估计方法及其不确定度评估策略。

四、CVD石墨烯的机械接触研究

测试四探针尖端在单层膜上着陆点的扫描电子显微镜图像

为验证纯机械接触方式在四点探针测量中的可行性，GRACE联盟设计了一套实验系统。实验使用四根等间距弹簧探针，探针头为圆形，接触点面积约30 μm，间距为3 mm。样品为商用CVD石墨烯（生长于硅衬底上），通过精密位移控制系统与电子天平记录探针压力与位移。

实验测量了八种不同弹簧位移 Z（0–1155 μm）下的四线电阻 R4W。结果显示，在初始接触阶段（Z<300 μm），R4W变化较为明显，随后趋于稳定，整体变化幅度约为1%。在 Z=1.2 mm时，测得 R4W=158.65 Ω±0.85 Ω，B类不确定度约为 0.05 Ω。

SEM图像显示，探针着陆点出现两类损伤：一是石墨烯被剥离的区域，二是因探针横向移动造成的线性划痕。尽管如此，损伤区域面积约为 20 μm×20 μm，与探针头尺寸相当，且对整体电阻影响有限。实验表明，使用四探针进行机械接触是可行且可重复的，适用于标准化测量流程。

标准化是将科研成果转化为工业生产的关键环节。本文围绕IEC TS 62607-6-8:2023 的制定背景，重点介绍了四点探针法在石墨烯薄层电阻测量中的标准化实践及其科学依据。通过系统的实验验证，该标准为石墨烯材料的电性能评估提供了可靠、统一的测量方法，有助于推动其在电子、传感等领域的产业化应用。

Xfilm埃利四探针方阻仪

Xfilm埃利四探针方阻仪用于测量薄层电阻（方阻）或电导，可以对样品进行快速、自动的扫描，获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息。

超高测量范围，测量1mΩ~100MΩ

高精密测量，动态重复性可达0.2%

全自动多点扫描，多种预设方案亦可自定义调节

快速材料表征，可自动执行校正因子计算

基于四探针法的Xfilm埃利四探针方阻仪，凭借智能化与高精度的电阻测量优势，助力评估石墨烯的薄层电阻，推动多领域的材料检测技术升级。