华虹集成电路成都公司申请非易失性存储器及其形成方法专利，可有效克服纯化学机械研磨工艺难以完全磨去浅沟槽隔离结构上浮栅聚合物的问题_厂商动态

华虹集成电路成都公司申请非易失性存储器及其形成方法专利，可有效克服纯化学机械研磨工艺难以完全磨去浅沟槽隔离结构上浮栅聚合物的问题

创始人

2025-11-29 12:35:50

0次

国家知识产权局信息显示，华虹集成电路（成都）有限公司申请一项名为“非易失性存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121038278A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种非易失性存储器及其形成方法，衬底上形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构凸出于衬底，浅沟槽隔离结构的顶表面形成有凹坑；形成浮栅材料层，浮栅材料层覆盖相邻浅沟槽隔离结构之间的衬底且覆盖浅沟槽隔离结构的顶表面，浅沟槽隔离结构的顶表面的凹坑内形成有浮栅材料层；先通过化学机械研磨工艺磨去大部分顶部浮栅材料层，以浅沟槽隔离结构研磨损失第一厚度作为终点,浅沟槽隔离结构的凹坑内残留浮栅材料层由快速热氧化工艺快速氧化为浮栅材料氧化层，然后再通过湿法刻蚀工艺将浮栅材料氧化层洗掉，本发明可有效克服纯化学机械研磨工艺难以完全磨去浅沟槽隔离结构上浮栅聚合物的问题。

天眼查资料显示，华虹集成电路（成都）有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2280000万人民币。通过天眼查大数据分析，华虹集成电路（成都）有限公司参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可104个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

易失性沟槽材料隔离成都公司聚合物存储器集成电路结构专利华虹凹坑浅沟槽衬底浮栅

上一篇：金风零碳取得储能系统供电电路及变流器专利，充电保护模块可响应预充电回路过输入电压或过电流断开通路

下一篇：长鑫芯瑞取得半导体结构及其制作方法专利

华虹集成电路成都公司申请非易失性存储器及其形成方法专利，可有效克服纯化学机械研磨工艺难以完全磨去浅沟槽隔离结构上浮栅聚合物的问题

相关内容

热门资讯