荣芯半导体申请一种半导体器件及其制造方法专利，保证半导体器件的性能
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2025-11-29 23:07:29
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121035051A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中沉积隔离材料层，隔离材料层填充满浅沟槽并覆盖衬底表面，在隔离材料层上对应于浅沟槽的位置形成有内凹槽；形成至少部分填充内凹槽的第一掩膜层；回蚀刻第一掩膜层以及隔离材料层，直到暴露出衬底的部分表面，以形成填充浅沟槽的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的顶面高于衬底的表面，其中，在回蚀刻过程中，对第一掩膜层的刻蚀速率小于对隔离材料层的刻蚀速率。本申请通过选用与隔离材料层以及衬底高选择比的第一掩膜层，结合蚀刻工艺可以有效控制浅沟槽隔离台阶高度，从而保证半导体器件的性能。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息66条。
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