格科半导体申请背照式图像传感器的栅格结构及形成方法专利，得到成像质量更高的图像传感器
创始人
2025-06-28 09:37:58
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器的栅格结构及形成方法”的专利，公开号CN120224806A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种背照式图像传感器的栅格结构及形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底背面的金属层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成多层介质层；通过刻蚀形成图形化的硬掩膜层，并暴露出所述金属层；通过清洁气体去除所述图形化的硬掩膜层的底部和/或侧壁的含硅副产物；刻蚀所述金属层，形成所述背照式图像传感器的栅格结构。本发明为了清除刻蚀介质层时生产的副产物，在刻蚀金属层之前，设置了清洁步骤，利用通入的清洁气体与副产物充分反应，以便后续刻蚀步骤的顺利进行，得到成像质量更高的图像传感器。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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