上海新微半导体申请半导体器件及接触结构的制作方法专利，避免了第一结构的损伤
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2025-06-28 11:09:40
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及接触结构的制作方法”的专利，公开号CN120221505A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及接触结构的制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一至少包括第一结构及上表面低于第一结构上表面的第二结构的半导体结构；形成覆盖半导体结构上表面的阻挡层及覆盖阻挡层上表面的介电层；采用第一刻蚀剂同步去除第一和二结构正上方的介电层，以得到第一及二孔；采用第二刻蚀剂同步去除第一和二孔正下方的阻挡层，以形成底部分别显露出第一和二结构的第一及二接触孔；形成分别填充第一和二接触孔的第一插塞及第二插塞。本发明通过于介电层和半导体结构之间形成阻挡层，并依次通过第一刻蚀剂刻蚀介电层、第二刻蚀剂刻蚀阻挡层来形成第一接触孔和第二接触孔，避免了第一结构的损伤，保证了接触结构的质量。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目824次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息96条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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