荣芯半导体申请激光熔丝结构及其制造方法专利，具有更高的熔断成功率
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2025-06-28 12:10:01
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种激光熔丝结构及其制造方法”的专利，公开号CN120221536A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，一种激光熔丝结构及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成熔丝金属层，熔丝金属层包括引线部和熔断部；形成覆盖熔丝金属层的第一介电层；在第一介电层上形成刻蚀停止层，刻蚀停止层位于熔断部上方；在第一介电层和刻蚀停止层上形成第二介电层；形成导电柱和顶部金属层；形成覆盖顶部金属层的第三介电层；对第三介电层执行第一刻蚀工艺，以形成露出刻蚀停止层的开口，开口的底部的宽度大于刻蚀停止层的宽度；对开口的底部露出的介电层执行第二刻蚀工艺，以使得开口的底部中间凸起；去除刻蚀停止层。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息34条。
来源：金融界
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