近来，成熟制程DRAM内存芯片价格上涨明显。由于主流DRAM制造商转向生产新一代DDR5和LPDDR5X产品，并将于2025年底前大幅削减DDR4和LPDDR4的产量，这导致近期成熟制程DRAM价格上涨明显。DDR4和LPDDR4被视为成熟制程产品。不过根据TrendForce数据，6月23日-27日当周，DRAM现货市场热度略为降温，受到市场追价力道趋缓，加上月底工厂进行库存盘点影响，整体购货动能明显放缓，氛围转为观望。

DDR4现货价格涨势有所降温

根据市场研究机构TrendForce报告，近来DRAM现货市场价格涨势十分明显。6月16日-6月20日当周DDR4 1Gx8 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC价格跳空达到3.65~3.80美元，Samsung WC-BCWE现货少量报价高涨至8.60美元附近。

不过，本周DRAM现货市场热度略为降温，市场追价力道有所趋缓。供应商为求回笼资金，开始调整报价，在低价部位有买家竞价进场，实际有零星实单成交，但整体交易量未能显著放大。DDR4 1Gx8 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC价格向下修正来到3.4x~3.5x美元，Samsung WC-BCWE现货少量报价回档至8.20美元附近。

模组方面的现货参考价格：KST DDR4 8G 3200 $28.75、KST DDR4 16G 3200 $54.75、KST DDR4 32G 3200 $107.00。而KST DDR5 8G 5600 $20.50、KST DDR5 16G 5600 $36.50、KST DDR5 32G 5600 $68.50。

行业普遍认为，美国关税政策是造成DDR4价格飞涨的原因之一。美国政府缓征对等关税90天，促使电脑制造商积极储备存储器库存，带动DRAM和NAND快闪存储器价格连连跳涨。此外，主流DRAM制造商转向生产DDR5也是当前DDR4价格畸形上涨的原因之一。TrendForce表示，全球三大DRAM供应商三星电子、SK海力士和美光（Micron）缩减旧制程DDR4产能，协助推动价格上涨。

光大证券分析，存储芯片价格近期呈现上涨态势，背后有多方面原因。从供给端来看，此前存储芯片市场处于下行周期，供过于求，价格低迷，三星、美光、SK海力士等全球存储芯片大厂为扭转局面，纷纷削减产能。例如美光从2024年9月开始削减NANDFlash闪存产量，并计划将减产幅度扩大至30%，三星也在2024年11月宣布减产，目标是将NANDFlash芯片产量减少15%～20%。经过一段时间的减产，市场库存得到有效去化，供应压力缓解，为价格上涨奠定基础。

需求端上，AI技术的迅猛发展成为关键推动因素。AI服务器对存储芯片的需求极为旺盛，其存储成本占比达40%～60%，单台搭载HBM芯片价值量超3000美元。不仅如此，AI在智能手机、个人电脑、智能穿戴等消费电子领域以及智能汽车领域的加速渗透，使得终端设备对更高容量和更高性能存储芯片的需求大增。如AI手机标配DRAM升至16GB，AI电脑内存扩至32GB。

厂商仍然看好下半年市场前景

这一价格趋势将对存储厂商形成利好，将对三星2025年第二季度的存储业务产生积极影响。尽管成熟制程的DRAM产品并非三星的核心业务，但需求增长将使其能够快速消耗现有库存。成熟制程DRAM业务的强劲表现，有望在一定程度上抵消三星在HBM业务上的低迷。

IBK证券分析师认为，2025年第二季度DDR4价格涨幅最大，三星成为最大受益者，在销量、价格和利润率方面均出现积极变化。然而，三星的HBM订单量低于此前预期。考虑到这一点，三星存储业务第二季度的利润绩效可能与此前的预测相差不大。

展望后续市场情况，预计下半年云服务提供商将对AI硬件的持续投资，推动对高性能计算和存储硬件的需求，服务器领域的高速、大容量存储产品需求仍有望保持增长。随着AI大模型技术在智能终端本地化和定制化应用的加速，智能终端设备处理能力与数据存储需求显著提升，单机存储容量不断增长，同时，大模型与智能终端设备结合愈发紧密，应用场景不断扩展和细化，推动智能终端市场的中长期存储需求持续增长。

随着AI产业持续高速发展，对存储芯片的需求维持高位，再叠加厂商谨慎控制产能，存储芯片价格有望在一段时间内保持上涨态势，行业有望进入新一轮上行周期。对此，有专家指出，供应枯竭加上需求增加，意味着DRAM和NAND价格涨势将持续一段时间，在关税情势缓和和DDR4供应回复稳定之前，未来几个月存储器价格将继续走高。不过，相关专家也指出，仍需关注消费电子市场需求整体情况，如果智能手机等出货量不及预期，可能对存储芯片价格上涨幅度形成一定的制约。