格科半导体申请在3D结构中同时监测纵向和横向刻蚀方法专利，可同时监测纵向刻蚀和横向刻蚀的终点
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2025-06-29 00:38:28
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种在3D结构中同时监测纵向刻蚀和横向刻蚀的方法”的专利，公开号CN120221427A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供了一种在3D结构中同时监测纵向刻蚀和横向刻蚀的方法，包含：S1，提供具有3D结构的晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层并形成倾斜侧墙和/或垂直侧墙；在阻挡层表面沉积底部抗反射涂层，在底部抗反射涂层表面部分沉积光刻胶；S2，采用第一等离子体纵向刻蚀；S3，去除光刻胶，使垂直侧墙完全保留和/或倾斜侧墙部分刻蚀；S4，采用第二等离子体横向刻蚀并利用监测系统实时监测光谱强度的变化量；S5，当观察到倾斜侧墙消失和/或垂直侧墙的厚度达到设定要求时，采集当前光谱强度的变化量并进行信号放大处理；S6，将放大处理的光谱强度的变化量输入监测系统中以确定具有3D结构的晶圆的横向刻蚀终点。此方法可以同时监测纵向刻蚀和横向刻蚀的终点。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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